IXFP8N65X2M
Výrobca Číslo produktu:

IXFP8N65X2M

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFP8N65X2M-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventár:

Online RFQ
12915641
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFP8N65X2M Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
790 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Isolated Tab
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IXFP8N65

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTK200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A TO264

nexperia

PHB32N06LT,118

MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK

littelfuse

IXFH120N15P

MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD

nexperia

BUK7Y59-60EX

MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56