Výrobca Číslo produktu:
IXFQ20N50P3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFQ20N50P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
294 Ks Nové Originálne Na Sklade
12818827
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFQ20N50P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
380W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXFQ20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-IXFQ20N50P3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFC10N80P
MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
IXTA182N055T7
MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
IXKP35N60C5
MOSFET N-CH 600V 35A TO220AB
