IXFQ50N60X

Výrobca Číslo produktu:

IXFQ50N60X

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFQ50N60X-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

Podrobný popis:

N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventár:

Online RFQ

12820568

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IXFQ50N60X Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Littelfuse

Balenie

Tube

Seriál

HiPerFET™, Ultra X

Stav produktu

Last Time Buy

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

600 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

50A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

73mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4.5V @ 4mA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

116 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

4660 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

660W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-3P

Balenie / puzdro

TO-3P-3, SC-65-3

Základné číslo produktu

IXFQ50

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXFX24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

littelfuse

IXFK120N30T

MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

littelfuse

IXTT74N20P

MOSFET N-CH 200V 74A TO268

littelfuse

IXFR40N90P

MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247