Výrobca Číslo produktu:
IXFR15N100Q3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFR15N100Q3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventár:
18 Ks Nové Originálne Na Sklade
12819130
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFR15N100Q3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Q3 Class
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFR15
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-IXFR15N100Q3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
APT14M120B
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
57
ČÍSLO DIELU
APT14M120B-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.64
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFR58N20
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
IXTH32P20T
MOSFET P-CH 200V 32A TO247
IXFB30N120Q2
MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
