Výrobca Číslo produktu:
IXFR21N100Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFR21N100Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventár:
12819785
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
1aws
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFR21N100Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Q Class
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
350W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFR21
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFR32N100Q3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
30
ČÍSLO DIELU
IXFR32N100Q3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
31.33
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH80N085
MOSFET N-CH 85V 80A TO247AD
IXFA270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
IXUN280N10
MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
