Výrobca Číslo produktu:
IXFR230N20T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFR230N20T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 156A (Tc) 600W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventár:
12821179
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFR230N20T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
156A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
28000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
600W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFR230
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP4668PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8420
ČÍSLO DIELU
IRFP4668PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA2N80
MOSFET N-CH 800V 2A TO263
IXTH88N15
MOSFET N-CH 150V 88A TO247
IXFN82N60P
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
