Výrobca Číslo produktu:
IXFR66N50Q2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFR66N50Q2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventár:
12820246
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFR66N50Q2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
85mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9125 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFR66
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
APT56F50B2
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19
ČÍSLO DIELU
APT56F50B2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
10.15
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFR80N50Q3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2
ČÍSLO DIELU
IXFR80N50Q3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
26.01
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
IXTV98N20T
MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
IXTP1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
