Výrobca Číslo produktu:
IXFT15N100Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFT15N100Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12820976
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFT15N100Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXFT15
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFT16N120P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
97
ČÍSLO DIELU
IXFT16N120P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
12.89
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH60N20
MOSFET N-CH 200V 60A TO247AD
IXFH17N80Q
MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
IXTH76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO247
