Výrobca Číslo produktu:
IXFT17N80Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFT17N80Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12822007
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFT17N80Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXFT17
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFT24N90P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
510
ČÍSLO DIELU
IXFT24N90P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
10.92
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH66N20Q
MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD
IXTH140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO247
AUIRFU8403
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
