Výrobca Číslo produktu:
IXFT180N20X3HV
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFT180N20X3HV-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventár:
30 Ks Nové Originálne Na Sklade
12819075
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFT180N20X3HV Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
780W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268HV (IXFT)
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXFT180
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN140N30P
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
IXFR30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
