Výrobca Číslo produktu:
IXFT20N100P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFT20N100P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12908072
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFT20N100P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
570mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
660W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXFT20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
IRF820LPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IRFBF20SPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK