Výrobca Číslo produktu:
IXFT32N50Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFT32N50Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 32A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventár:
12819817
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFT32N50Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4925 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-268AA
Balenie / puzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základné číslo produktu
IXFT32
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IXFT32N50Q-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFT36N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFT36N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.75
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN100N25
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
IXTH96N25T
MOSFET N-CH 250V 96A TO247
IXTA76N075T
MOSFET N-CH 75V 76A TO263
