Výrobca Číslo produktu:
IXFV96N15P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFV96N15P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 96A (Tc) 480W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventár:
12915472
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFV96N15P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
PolarHT™ HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
96A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
24mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
480W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS220
Balenie / puzdro
TO-220-3, Short Tab
Základné číslo produktu
IXFV96
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP200N15N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10256
ČÍSLO DIELU
IPP200N15N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.32
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3447CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI7384DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
