Výrobca Číslo produktu:
IXFX100N25
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX100N25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 100A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12907923
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
hC9o
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX100N25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
27mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
560W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFX140N30P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFX140N30P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFP4868PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2189
ČÍSLO DIELU
IRFP4868PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.47
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFP4332PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
471
ČÍSLO DIELU
IRFP4332PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.48
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLR110TRL
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRF9620L
MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK
IRFD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
