Výrobca Číslo produktu:
IXFX150N30P3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX150N30P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 150A (Tc) 1300W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12819857
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX150N30P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
300 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
19mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12100 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-IXFX150N30P3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP4768PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2632
ČÍSLO DIELU
IRFP4768PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.59
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
IXFX14N100
MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3
IXTA120N04T2
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
