Výrobca Číslo produktu:
IXFX32N100P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFX32N100P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventár:
12821380
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFX32N100P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
960W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS247™-3
Balenie / puzdro
TO-247-3 Variant
Základné číslo produktu
IXFX32
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW22N95K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
590
ČÍSLO DIELU
STW22N95K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.77
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFV26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
IXTV36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
IXTA32P05T
MOSFET P-CH 50V 32A TO263
