Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IXFY4N60P3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFY4N60P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
Online RFQ
12914248
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFY4N60P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
365 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
114W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IXFY4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IXFY4N60P3-DG
Technické listy
IXFY4N60P3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Iné mená
-IXFY4N60P3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD80R2K0P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
67
ČÍSLO DIELU
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQD5N60CTM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FQD5N60CTM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TSM4NB60CP ROG
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9
ČÍSLO DIELU
TSM4NB60CP ROG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTY4N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
70
ČÍSLO DIELU
IXTY4N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.07
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTY8N70X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
49
ČÍSLO DIELU
IXTY8N70X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK9E04-40A,127
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
IRFR020TR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
SI4638DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SO
IRFR224
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK