IXKR25N80C
Výrobca Číslo produktu:

IXKR25N80C

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXKR25N80C-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 25A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventár:

Online RFQ
12907073
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXKR25N80C Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS247™
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXKR25

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IXKR25N80C-DG
Technické listy
IXKR25N80C

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
nexperia

PMN55ENEH

MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP

vishay-siliconix

IRF614STRRPBF

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

diodes

ZVN0540A

MOSFET N-CH 400V 90MA TO92-3

littelfuse

IXFK88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA