IXTA08N100D2
Výrobca Číslo produktu:

IXTA08N100D2

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTA08N100D2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventár:

6800 Ks Nové Originálne Na Sklade
12905635
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTA08N100D2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Depletion
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
800mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
-
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
325 pF @ 25 V
Funkcia FET
Depletion Mode
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA08

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

ZVN4424ZTA

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3

vishay-siliconix

2N7002-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

vishay-siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP