Výrobca Číslo produktu:
IXTA1N80
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA1N80-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO263
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventár:
12821090
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA1N80 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
750mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN170N30P
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
IXFT50N85XHV
MOSFET N-CH 850V 50A TO268
IXFE44N50QD3
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
