Výrobca Číslo produktu:
IXTA1R4N100PTRL
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA1R4N100PTRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
13271079
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA1R4N100PTRL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
238-IXTA1R4N100PTRLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFA16N50P-TRL
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
IXFA18N65X2
MOSFET N-CH 650V 18A TO263
IXFP14N55X2M
IXFP14N55X2M