Výrobca Číslo produktu:
IXTA3N60P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA3N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventár:
12821862
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA3N60P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
PolarHV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
411 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
70W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD3N62K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3586
ČÍSLO DIELU
STD3N62K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTA4N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
35
ČÍSLO DIELU
IXTA4N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.18
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
IXTH12N100L
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
