Výrobca Číslo produktu:
IXTA60N20T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTA60N20T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventár:
12820073
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTA60N20T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXTA60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SUM90330E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
690
ČÍSLO DIELU
SUM90330E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.61
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB40NF20
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
STB40NF20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.62
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDM15-06KC5
MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
IXFH15N60
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
IXFL44N100P
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS264