Výrobca Číslo produktu:
IXTC180N085T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTC180N085T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 85 V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventár:
12819161
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTC180N085T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
85 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS220™
Balenie / puzdro
ISOPLUS220™
Základné číslo produktu
IXTC180
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPA057N08N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
450
ČÍSLO DIELU
IPA057N08N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.01
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP120NF10
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18341
ČÍSLO DIELU
STP120NF10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.05
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO263
IXFE48N50Q
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
IXFN180N15P
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B