Výrobca Číslo produktu:
IXTC200N10T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTC200N10T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 101A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventár:
12822257
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTC200N10T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
TrenchMV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
101A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS220™
Balenie / puzdro
ISOPLUS220™
Základné číslo produktu
IXTC200
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP120NF10
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
18341
ČÍSLO DIELU
STP120NF10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.05
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTB62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
PHD18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
IXTH72N20
MOSFET N-CH 200V 72A TO247
