Výrobca Číslo produktu:
IXTF6N200P3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTF6N200P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
Podrobný popis:
N-Channel 2000 V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventár:
12821834
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTF6N200P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar P3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
2000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
215W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS i4-PAC™
Balenie / puzdro
ISOPLUSi5-PAK™
Základné číslo produktu
IXTF6
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
IXFQ24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXFH130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
