IXTH220N055T
Výrobca Číslo produktu:

IXTH220N055T

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTH220N055T-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 220A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 220A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventár:

12914140
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTH220N055T Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
TrenchMV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
220A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
158 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
430W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH220

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRFP2907PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2867
ČÍSLO DIELU
IRFP2907PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFP3306PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
970
ČÍSLO DIELU
IRFP3306PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.37
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI1300BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3

vishay-siliconix

SI8416DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT

vishay-siliconix

IRFZ24STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 17A TO263

vishay-siliconix

SI3458BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP