IXTH36P10
Výrobca Číslo produktu:

IXTH36P10

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTH36P10-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 36A TO247
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventár:

12904819
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTH36P10 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH36

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXTH52P10P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
179
ČÍSLO DIELU
IXTH52P10P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.03
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

ZVP4424ZTA

MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3

diodes

ZVP3306ASTZ

MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE

diodes

ZVP2120ASTZ

MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFD113

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP