Výrobca Číslo produktu:
IXTH60N25
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTH60N25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
12820056
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTH60N25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
46mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
400W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW52NK25Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
444
ČÍSLO DIELU
STW52NK25Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.37
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFP4229PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1265
ČÍSLO DIELU
IRFP4229PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.37
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP50NF25
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1337
ČÍSLO DIELU
STP50NF25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
IXFK32N90P
MOSFET N-CH 900V 32A TO264AA
IXFK100N25
MOSFET N-CH 250V 100A TO264AA