IXTH8P50
Výrobca Číslo produktu:

IXTH8P50

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTH8P50-DG

Popis:

MOSFET P-CH 500V 8A TO247
Podrobný popis:
P-Channel 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventár:

12911809
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTH8P50 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXTH8

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
IXTH8P50-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI4888DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

IRFPS40N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247

vishay-siliconix

IRFP360LC

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

vishay-siliconix

IRLI540G

MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3