Výrobca Číslo produktu:
IXTK17N120L
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTK17N120L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 17A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventár:
296 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820503
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTK17N120L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
155 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264 (IXTK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXTK17
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
-IXTK17N120L
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA02N250HV
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
IXFP5N50PM
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO220AB
IXFH36N55Q2
MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
