Výrobca Číslo produktu:
IXTK250N10
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTK250N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 250A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 250A (Tc) 730W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventár:
12821870
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTK250N10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
MegaMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
430 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
730W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264 (IXTK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXTK250
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFH320N10T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFH320N10T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
9.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTY15N20T
MOSFET N-CH 200V 15A TO252
IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
IXFN27N80
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
