IXTM11N80
Výrobca Číslo produktu:

IXTM11N80

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTM11N80-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)

Inventár:

12914790
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTM11N80 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
GigaMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
950mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-204AA (IXTM)
Balenie / puzdro
TO-204AA, TO-3
Základné číslo produktu
IXTM11

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
20

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FCPF400N80Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1271
ČÍSLO DIELU
FCPF400N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.64
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTH34N65X2

MOSFET N-CH 650V 34A TO247

vishay-siliconix

IRFP350

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

vishay-siliconix

IRFZ44RSTRR

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay-siliconix

SI7108DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8