Výrobca Číslo produktu:
IXTM12N100
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTM12N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Inventár:
12819937
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTM12N100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
GigaMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-204AA (IXTM)
Balenie / puzdro
TO-204AA, TO-3
Základné číslo produktu
IXTM12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
20
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW13NK100Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STW13NK100Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.20
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTP74N15T
MOSFET N-CH 150V 74A TO220AB
IXFN280N085
MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
AUIRFR3710ZTRL
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
