Výrobca Číslo produktu:
IXTM50N20
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTM50N20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Inventár:
12819638
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTM50N20 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
GigaMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-204AE
Balenie / puzdro
TO-204AE
Základné číslo produktu
IXTM50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
20
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP260NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
12055
ČÍSLO DIELU
IRFP260NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.72
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFK120N30P3
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
IXFX98N50P3
MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3
IXFA56N30X3
MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
