Výrobca Číslo produktu:
IXTN21N100
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTN21N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
12818946
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTN21N100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
MegaMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
520W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXTN21
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Iné mená
IXTN21N100-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
IXTP180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
IXTP5N60P
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
