Výrobca Číslo produktu:
IXTN22N100L
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTN22N100L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 22A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
12906625
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTN22N100L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Linear
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
270 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7050 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXTN22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Iné mená
611085
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFBF20L
MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
IRF9520S
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
IXFK220N20X3
MOSFET N-CH 200V 220A TO264
