Výrobca Číslo produktu:
IXTN550N055T2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTN550N055T2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 550A (Tc) 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
12821647
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTN550N055T2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
TrenchT2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
550A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
595 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
40000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
940W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXTN550
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Iné mená
623216
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
IXTH3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
IXFN34N100
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B