Výrobca Číslo produktu:
IXTP05N100P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP05N100P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 500mA (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12821391
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP05N100P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
Polar
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
500mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
196 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP05
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP08N100P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
285
ČÍSLO DIELU
IXTP08N100P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.15
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXTQ52N30P
MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
IXFH60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD
