Výrobca Číslo produktu:
IXTP12N50PM
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP12N50PM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12819839
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
5Acs
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP12N50PM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1830 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP12
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5605
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB13N50APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1693
ČÍSLO DIELU
IRFB13N50APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFR180N085
MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
IXFT23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO268
IXFN170N10
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
