Výrobca Číslo produktu:
IXTP1N120P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP1N120P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 1A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12821937
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP1N120P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP1
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA80N10T7
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
IXFP22N60P3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
IXFK52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
