Výrobca Číslo produktu:
IXTP20N65X2M
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP20N65X2M-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventár:
13270819
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP20N65X2M Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
185mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Isolated Tab
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IXTP20
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
238-IXTP20N65X2M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA42N25P-TRL
MOSFET N-CH 250V 42A TO263
IXTA3N50D2-TRL
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
IXFT24N90P-TRL
MOSFET N-CH 900V 24A TO268