Výrobca Číslo produktu:
IXTP2N100
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP2N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12819680
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP2N100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
825 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP2NK90Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
641
ČÍSLO DIELU
STP2NK90Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF3NK100Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
893
ČÍSLO DIELU
STF3NK100Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.62
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP2NK100Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
738
ČÍSLO DIELU
STP2NK100Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.37
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFK73N30Q
MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
IXFM1766
POWER MOSFET TO-3
IXFT21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO268
