Výrobca Číslo produktu:
IXTP32P20T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP32P20T-DG
Popis:
MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 32A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12819563
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP32P20T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
TrenchP™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±15V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP32
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTH32P20T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTH32P20T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.71
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFK240N15T2
MOSFET N-CH 150V 240A TO264AA
IXFT150N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV
IXTA74N15T
MOSFET N-CH 150V 74A TO263