IXTP4N65X2
Výrobca Číslo produktu:

IXTP4N65X2

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXTP4N65X2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

232 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821752
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXTP4N65X2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
455 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP4

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs Building, Home Automation Appl Guide

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263

littelfuse

IXFP36N20X3

MOSFET N-CH 200V 36A TO220

littelfuse

IXTA36N30P

MOSFET N-CH 300V 36A TO263

littelfuse

IXTH14N80

MOSFET N-CH 800V 14A TO247