Výrobca Číslo produktu:
IXTP56N15T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP56N15T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 56A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12820892
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP56N15T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
36mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP56
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB5615PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2529
ČÍSLO DIELU
IRFB5615PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.79
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FDP2552
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
392
ČÍSLO DIELU
FDP2552-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB4615PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2079
ČÍSLO DIELU
IRFB4615PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFM67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
IXFN60N80P
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
