Výrobca Číslo produktu:
IXTP60N20T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP60N20T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821104
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP60N20T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDP61N20
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
103
ČÍSLO DIELU
FDP61N20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFB260NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1094
ČÍSLO DIELU
IRFB260NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.16
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTC102N25T
MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
IXTN62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
IXFN200N07
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
