Výrobca Číslo produktu:
IXTP6N100D2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP6N100D2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
395 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821437
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP6N100D2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
Depletion
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
-
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2650 pF @ 25 V
Funkcia FET
Depletion Mode
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTQ60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
IXTH02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
IXFA20N85XHV
MOSFET N-CH 850V 20A TO263