Výrobca Číslo produktu:
IXTP6N50P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTP6N50P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12820322
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTP6N50P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
PolarHV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
740 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXTP6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5605
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP8N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTP8N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
CDM22010-650 SL
VÝROBCA
Central Semiconductor Corp
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
464
ČÍSLO DIELU
CDM22010-650 SL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTR30N25
MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
IXTK110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
IXFT320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO268
