Výrobca Číslo produktu:
IXTQ102N15T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXTQ102N15T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 102A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 102A (Tc) 455W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12820042
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXTQ102N15T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
102A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
455W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
IXTQ102
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTQ86N20T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ86N20T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.78
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IXTQ96N15P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTQ96N15P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.21
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FQA90N15
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
91
ČÍSLO DIELU
FQA90N15-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.82
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFE34N100
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
IXTQ10P50P
MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
IXTP28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
